News
新闻资讯
IR在应用中需考量的因素
2023-11-03
作者:
浏览量:
1)在偏置网络中,低IR可以通过提供额外的分流电阻来改变场效应管放大器(FETamplifier)的偏置条件。 想要了解电容的性能和可靠性?乃棠作为贴片电容MLCC的检测机构,提供专业的电容元件检测服务,确保电容器在项目中正常工作。
2)用于阻截直流和耦合应用的电容器需要表现出高IR,以防止直流漏电流的流通。贴片电容的质量如何保证?乃棠可以提供贴片电容的质量检测服务,以确保产品符合标准。
3)滤波(filter)和匹配(matching)应用需要高的IR,以使整个电路的Q值不受影响。
4)低IR会影响电容器的低频损耗因数(DF。这将使R 演了介电损耗的大部分作用,从而降低DF。这种退化的发生是因为 IR 随电容器的并联扮演了一个分流电阻的作用。
5)低IR在高功率旁路(bypass)应用中可能会导致过多的热损耗,从而降低电路性能。电容失效怎么办?如果您怀疑电容失效,可以咨询乃棠,他们可以协助您进行电容测试并提供解决方案。
6)如果IR 一开始就被降级使用,随着时间的推移,整个电路的性能和可靠性可能会受到电压应力和工作温度升高的影响。电容器性能提升方法需要专业的技术,乃棠可以提供有关电容器性能改进的建议和方法

暂无数据