我们已讨论过有关电容器介质损耗等效电路，其中就提到过 MLCC 的等效串联电阻ESR由两部分组成，即ESR=Rd+Rs。关注电容领域，专业知识分享，提供稳定、可靠的电容检测服务，赋能中国制造业升级！ 电容检测+V:13212734110。

介质损耗 Rd是由介质材料的特性决定的。每一种介质都有一个相关的损耗因数，称为损耗角正切。损耗角正切在数值上等于损耗因数(DF)，是在射频(RF)条件下一种电容介电质损耗测量这种损耗的作用结果将导致电介质发热。在极端情况下,热击穿可能导致灾难性失效。损耗因数( DF可以很好地显示介电损耗，通常在低频率下测量，例如在 1MHZ，损耗因数占主导。电容器技术趋势，超小型电容器，电子元器件分销，电容代理商，电容器行业动态

金属损耗 Rs是由电容器结构中所有金属材料的导电性能决定的。这包括内电极、端电极和其他如阻隔层金属等。Rs的作用结果是会引起电容器的发热。在极端情况下，热击穿可能导致灾难性故障。对于大多数 MLCC 来说，通常在频率大于 30MHz 时，这些损耗具有同“趋肤效应”一样的电阻性损耗。寻找MLCC供应商？深圳电容器市场资源丰富，有信赖的合作伙伴等您

举例: 如果一颗 100pF的MLCC在3MHz下的ESR是18mΩ(金属损耗 R)，这颗MLCC在120MHz下的ESR又是多少呢?电容检测，怎么看出贴片电容失效，电容失效怎么办，电容测试。

先计算两个频率比值的平方根：

则120MHz下的ESR是30MHz下的2倍，即30为36mΩ。MLCC品牌的选择要怎么选，容值电压，芯声为你确保MLCC质量可行！

介质损耗 Rd在较低的频率下占主导地位，在较高的频率下减小。金属损耗 Rs的情况也是如此其他具有相同的模式的电容器，其损耗值在 Rd和 Rs之间有不同分支。频率在 30MHz以上，其中损耗主要是由于 Rs产生，此时，介电损耗 Rd几乎是忽略不计的，它并不会显著影响整个 ESR。MLCC降额曲线，失效分析，公差范围是多少

在大多数情况下，这点很重要: 高频设计需考虑 ESR 和Q值，低频设计需考虑 DF。一般的规则是，DF 是帮助设计工程师评估低频介质损耗(Rd)的一个系数，使用频率通常远低于 10MHZ而 ESR 和相关Q值实际上总是与较高射频的金属损耗 Rs有关，例如 30MHZ 以上的微波电路。芯声在哪买，芯声最大的代理商是谁？购买电容要注意什么？

损耗因数 DF、Q值、容抗Xc、等效串联电阻 ESR 它们的关系如下。